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特許情報


発明の名称
窒化銅半導体およびその製造方法 
発明者
松崎功佑, 須崎（須﨑）友文, 細野秀雄, 前田祥宏, 岡崎　哲士, 李　奕樞.  
種別
特許 
状態
登録 
出願人
国立大学法人東京工業大学.  
出願日
2016/01/29
出願番号
特願2016-015961
公開日
2017/08/03
公開番号
特開2017-135329
登録日
2020/06/04
登録番号
特許第6712798号

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