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特許情報


発明の名称
窒化銅半導体およびその製造方法 
発明者
松崎功佑, 細野秀雄, 大場史康, 熊谷悠, 原田航, 雲見日出也.  
種別
特許 
状態
登録 
出願人
国立大学法人東京工業大学.  
出願日
2017/03/06
出願番号
特願2017-041774
公開日
2018/09/20
公開番号
特開2018-148031
登録日
2021/09/29
登録番号
特許第6951734号

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