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特許情報


発明の名称
ＳＯＴ（スピン軌道トルク）ＭＴＪ（磁気トンネル接合）デバイス、ＭＡＭＲ（マイクロ波アシスト磁気記録）書き込みヘッド、ＭＲＡＭ（磁気抵抗ランダムアクセスメモリ）デバイス 
発明者
PHAMNAM HAI, Quang Le　, Cherngye Hwang　, Brian R. York　, Thao A. Nguyen　, Zheng Gao　, Kuok San Ho　.  
種別
特許 
状態
公開 
出願人
国立大学法人東京工業大学, Western Digital Technologies, Inc..  
出願日
2020/12/22
出願番号
特願2020-212229
公開日
2021/09/02
公開番号
特開2021-128814

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