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特許情報


発明の名称
強誘電性薄膜の形成方法、それを備える半導体装置 
発明者
大見俊一郎.  
種別
特許 
状態
公開 
出願人
国立大学法人東京工業大学.  
出願日
2022/02/18
出願番号
PCT/JP2022/006613
公開日
2022/09/15
公開番号
WO 2022/190817

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