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特許情報


発明の名称
pチャネルGaNMOSデバイス及びその製造方法 
発明者
星井拓也, 筒井一生.  
種別
特許 
状態
公開 
出願人
国立大学法人東京工業大学.  
出願日
2021/08/25
出願番号
特願2021-137005
公開日
2023/03/09
公開番号
特開2023-031488

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