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特許情報


発明の名称
磁気メモリ素子、並びに磁気メモリ素子の情報の書き込みおよび読み取り方法 
発明者
東正樹, 重松圭, 伊藤拓真.  
種別
特許 
状態
公開 
出願人
国立大学法人東京工業大学, 地方独立行政法人神奈川県立産業技術総合研究所(KISTEC), 住友化学株式会社.  
出願日
2024/03/07
出願番号
PCT/JP2024/008729
公開日
2024/09/12
公開番号
WO 2024/185845
備考
審査未請

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