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特許情報
発明の名称
磁気メモリ素子、磁気メモリ、及び磁気メモリを制御する制御方法
発明者
角嶋邦之
,
呉研
,
鬼村和志
,
岡本敏
, 社外発明者.
種別
特許
状態
公開
出願人
国立大学法人東京科学大学, 住友化学株式会社.
出願日
2025/08/06
出願番号
PCT/JP2025/027985
公開日
2026/02/12
公開番号
WO 2026/034559
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