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特許情報


発明の名称
磁気メモリ素子、磁気メモリ、及び磁気メモリを制御する制御方法 
発明者
角嶋邦之, 呉研, 鬼村和志, 岡本敏, 社外発明者.  
種別
特許 
状態
公開 
出願人
国立大学法人東京科学大学, 住友化学株式会社.  
出願日
2025/08/06
出願番号
PCT/JP2025/027985
公開日
2026/02/12
公開番号
WO 2026/034559

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