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特許情報


発明の名称
磁気抵抗素子および磁気抵抗素子の製造方法、ならびに半導体装置および半導体装置の製造方法 
発明者
PHAMNAM HAI, HOHOANG HUY, 社外発明者, 社外発明者, 社外発明者.  
種別
特許 
状態
公開 
出願人
国立大学法人東京科学大学, 日本サムスン株式会社.  
出願日
2024/09/03
出願番号
特願2024-151827
公開日
2026/03/13
公開番号
特開2026-046935

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