【重要】T2R2・STARSearchの停止と後継システムについて English

Home > ヘルプ 特許情報 発明の名称 磁気抵抗素子および磁気抵抗素子の製造方法、ならびに半導体装置および半導体装置の製造方法  発明者 PHAMNAM HAI, HOHOANG HUY, 社外発明者, 社外発明者, 社外発明者.   種別 特許   状態 公開   出願人 国立大学法人東京科学大学, 日本サムスン株式会社.   出願日 2024/09/03 出願番号 特願2024-151827 公開日 2026/03/13 公開番号 特開2026-046935

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