酸化濃縮法により作製された超薄膜(110)面GOI p-MOSFET

Publication Information

Title

Japanese:	酸化濃縮法により作製された超薄膜(110)面GOI p-MOSFET
English:

Author

Japanese:	Sanjeewa Dissanayake, 熊谷寛, 周藤悠介, 菅原聡, 高木信一.
English:	Sanjeewa Dissanayake, 熊谷寛, 周藤悠介, SATOSHI SUGAHARA, 高木信一.

Language

Japanese

Journal/Book name

Japanese:	第54回応用物理学関係連合講演会
English:

Volume, Number, Page

p. 27a-SC-2

Published date

Mar. 2007

Publisher

Japanese:
English:

Conference name

Japanese:	第54回応用物理学関係連合講演会, 相模原,
English:

Conference site

Japanese:
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