STIストレスによるMOSFET特性変動のコンパクトモデル

Publication Information

Title

Japanese:	STIストレスによるMOSFET特性変動のコンパクトモデル
English:

Author

Japanese:	山田健太, 庄俊之, 國清辰也, 庄俊之, 益一哉, 中山範明, 佐藤高史, 天川修平, 吉村尚郎, 伊藤優, 熊代成孝.
English:	山田健太, 庄俊之, 國清辰也, 庄俊之, Kazuya Masu, Noriaki Nakayama, Takashi Sato, Shuhei Amakawa, 吉村尚郎, 伊藤優, 熊代成孝.

Language

Japanese

Journal/Book name

Japanese:	2009年（平成21年）第56回応用物理学関係連合講演会
English:

Volume, Number, Page

31p-G-3

Published date

Mar. 2009

Publisher

Japanese:
English:

Conference name

Japanese:	2009年（平成21年）第56回応用物理学関係連合講演会
English:

Conference site

Japanese:	筑波大学
English: