Al2O3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET

Publication Information

Title

Japanese:	Al2O3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET
English:	InP/InGaAs composite channel MOSFET with Al2O3 gate dielectric

Author

Japanese:	金澤徹, 若林和也, 齋藤尚史, 寺尾良輔, 田島智宣, 池田俊介, 宮本恭幸, 古屋一仁.
English:	Toru Kanazawa, kazuya wakabayashi, Hisashi Saito, Ryousuke Terao, Tomonori Tajima, Shunsuke Ikeda, YASUYUKI MIYAMOTO, KAZUHITO FURUYA.

Language

Japanese

Journal/Book name

Japanese:	電子情報通信学会技術研究報告電子デバイス
English:	IEICE Technical Report, Electron Devices

Volume, Number, Page

Vol. 109 No. 360 pp. 39-42

Published date

Jan. 2010

Publisher

Japanese:
English:

Conference name

Japanese:	電子情報通信学会電子デバイス研究会
English:	IEICE Technical Report, Electron Devices

Conference site

Japanese:	東京
English:	Tokyo, Japan