Al2O3ゲート絶縁膜および再成長ソースを有するサブミクロンInP/InGaAs n-MOSFET

Publication Information

Title

Japanese:	Al2O3ゲート絶縁膜および再成長ソースを有するサブミクロンInP/InGaAs n-MOSFET
English:	Submicron InP/InGaAs channel n-MOSFET with regrown InGaAs and Al2O3 gate dielectric

Author

Japanese:	寺尾良輔, 金澤徹, 池田俊介, 米内義晴, 加藤淳, 宮本恭幸.
English:	Ryousuke Terao, Toru Kanazawa, Shunsuke Ikeda, Yosiharu Yonai, atsushi kato, YASUYUKI MIYAMOTO.

Language

Japanese

Journal/Book name

Japanese:
English:

Volume, Number, Page

Published date

Sept. 2010

Publisher

Japanese:
English:

Conference name

Japanese:	第71回応用物理学会学術講演会
English:

Conference site

Japanese:	長崎
English: