LaCe シリケート膜を用いたEOT&lt;0.7nm の直接接合 high-k/Si の実現とフラットバンド電圧制御

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Title

Japanese:	LaCe シリケート膜を用いたEOT<0.7nm の直接接合 high-k/Si の実現とフラットバンド電圧制御
English:

Author

Language

Japanese

Journal/Book name

Japanese:
English:	，野平博司，筒井一生，西山彰，杉井信之，名取研二，服部健雄，山田啓作，岩井洋“LaCe シリケート膜を用いたEOT<0.7nm の直接接合 high-k/Si の実現とフラットバンド電圧制御” 応用物理学会分科会シリコンテクノロジー No.127 pp.4-8（2010年7月22日）

Volume, Number, Page

No. 127 pp. 4-8

Published date

July 2010

Publisher

Japanese:
English:

Conference name

Japanese:	応用物理学会分科会シリコンテクノロジー
English:

Conference site

Japanese:	つくば市，産業技術総合研究所
English: