イオンビームアシストを用いた低オフ角Si(111) 基板上へのCaF<sub>2</sub>エピタキシャル成長

Publication Information

Title

Japanese:	イオンビームアシストを用いた低オフ角Si(111) 基板上へのCaF₂エピタキシャル成長
English:	Epitaxial growth of CaF₂ on low-off angle Si(111) substrate using ion assisted epitaxy

Author

Japanese:	渡辺正裕, 池谷吉史, 杉浦秀和, 吉田和史.
English:	M. Watanabe, Y. Iketani, H. Sugiura, K. Yoshida.

Language

Japanese

Journal/Book name

Japanese:
English:

Volume, Number, Page

4p-V-16 1 394

Published date

Oct. 4, 1997

Publisher

Japanese:
English:

Conference name

Japanese:	第58回応用物理学会学術講演会
English:	Nat. Conv. Rec. of The Japan Soc. of Appl. Phys.

Conference site

Japanese:	秋田県
English:	Akita