高電流密度化に向けたInPソースを有するIII-V-OI InGaAs MOSFETのチャネル厚依存性

Publication Information

Title

Japanese:	高電流密度化に向けたInPソースを有するIII-V-OI InGaAs MOSFETのチャネル厚依存性
English:

Author

Japanese:	大澤一斗, 加藤淳, 佐賀井健, 金澤徹, 上原英治, 宮本恭幸.
English:	Kazuto Ohsawa, atsushi kato, Takeru Sagai, Toru Kanazawa, Eiji Uehara, YASUYUKI MIYAMOTO.

Language

Japanese

Journal/Book name

Japanese:
English:

Volume, Number, Page

Published date

Sept. 19, 2013

Publisher

Japanese:
English:

Conference name

Japanese:
English:	第74回秋季応用物理学会学術講演会

Conference site

Japanese:	京都市
English: