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Publication Information
Title
Japanese:
酸素ラジカル支援PLD法による β-(Al
x
Ga
1-x
)
2
O
3
薄膜の作製
English:
Oxygen-radical-assisted pulsed-laser deposition of β-(Al
x
Ga
1-x
)
2
O
3
alloy films
Author
Japanese:
若林 諒
,
服部 真依
,
大島 孝仁
,
向井 章
,
佐々木 公平
,
増井 建和
,
倉又 朗人
,
山腰 茂伸
,
吉松 公平
,
大友 明
.
English:
R. Wakabayashi
,
M. Hattori
,
T. Oshima
,
A. Mukai
,
K. Sasaki
,
T. Masui
,
A. Kuramata
,
S. Yamakoshi
,
K. Yoshimatsu
,
A. Ohtomo
.
Language
English
Journal/Book name
Japanese:
English:
Volume, Number, Page
Published date
Dec. 12, 2014
Publisher
Japanese:
English:
Conference name
Japanese:
第1回E-MRS/MRS-Jジョイントシンポジウム 透明酸化物デバイスの新展開
English:
The 1st E-MRS/MRS-J Bilateral Symposia -Materials Frontier for Transparent Advanced Electronic
Conference site
Japanese:
横浜
English:
Yokohama
Official URL
https://www.mrs-j.org/meeting2014/jp/
Abstract
酸化ガリウムのデバイス応用を目指しβ-(AlxGa1-x)2O3薄膜成長を行った。Ga前駆体の高い蒸気圧が組成制御上の問題になっていた。本研究では、酸素ラジカルを用いたPLD法を行うことによって前駆体の蒸発を抑え、Al組成制御性の高いβ-(Al
x
Ga
1-x
)
2
O
3
薄膜成長が可能であること示した。
©2007
Tokyo Institute of Technology All rights reserved.