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Publication Information


Title
Japanese:酸素ラジカル支援PLD法による β-(AlxGa1-x)2O3薄膜の作製 
English:Oxygen-radical-assisted pulsed-laser deposition of β-(AlxGa1-x)2O3 alloy films 
Author
Japanese: 若林 諒, 服部 真依, 大島 孝仁, 向井 章, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 吉松 公平, 大友 明.  
English: R. Wakabayashi, M. Hattori, T. Oshima, A. Mukai, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, K. Yoshimatsu, A. Ohtomo.  
Language English 
Journal/Book name
Japanese: 
English: 
Volume, Number, Page        
Published date Dec. 12, 2014 
Publisher
Japanese: 
English: 
Conference name
Japanese:第1回E-MRS/MRS-Jジョイントシンポジウム 透明酸化物デバイスの新展開 
English:The 1st E-MRS/MRS-J Bilateral Symposia -Materials Frontier for Transparent Advanced Electronic 
Conference site
Japanese:横浜 
English:Yokohama 
Official URL https://www.mrs-j.org/meeting2014/jp/
 
Abstract 酸化ガリウムのデバイス応用を目指しβ-(AlxGa1-x)2O3薄膜成長を行った。Ga前駆体の高い蒸気圧が組成制御上の問題になっていた。本研究では、酸素ラジカルを用いたPLD法を行うことによって前駆体の蒸発を抑え、Al組成制御性の高いβ-(AlxGa1-x)2O3薄膜成長が可能であること示した。

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