多層Al ゲート構造を用いたSi-MOS 量子ドットデバイス作製プロセスの検討

Publication Information

Title

Japanese:	多層Al ゲート構造を用いたSi-MOS 量子ドットデバイス作製プロセスの検討
English:

Author

Japanese:	本田拓夢, 米田淳, 武田健太, 川那子高暢, 小寺哲夫, 樽茶清悟, 小田俊理.
English:	Takumu Honda, 米田淳, Kenta Takeda, Takamasa Kawanago, Tetsuo Kodera, Seigo Tarucha, SHUNRI ODA.

Language

Japanese

Journal/Book name

Japanese:
English:

Volume, Number, Page

Published date

Mar. 2016

Publisher

Japanese:
English:

Conference name

Japanese:	第63回応用物理学会春季学術講演会
English:

Conference site

Japanese:	東京都
English: