1.3 μm 帯 npn-AlGaInAs/InP トラン ジスタレーザにおける 発振波長のコレクタ－ベース電圧依存性

Publication Information

Title

Japanese:	1.3 μm 帯 npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザにおける発振波長のコレクタ－ベース電圧依存性
English:	Collector-Base Voltage Dependence of Lasing Wavelength of 1.3-μm npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser

Author

Japanese:	山中健太郎, 金子貴晃, 只野翔太郎, 西山伸彦, 荒井滋久.
English:	Kentarou Yamanaka, Takaaki Kaneko, Shotaro Tadano, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI.

Language

Japanese

Journal/Book name

Japanese:
English:

Volume, Number, Page

Published date

Apr. 2016

Publisher

Japanese:
English:

Conference name

Japanese:	電子情報通信学会光エレクトロニクス（OPE）研究会 2016年度4月研究会
English:

Conference site

Japanese:	静岡
English: