界面準位密度を考慮したSiC-MOSFET伝達特性モデルの構築

Publication Information

Title

Japanese:	界面準位密度を考慮したSiC-MOSFET伝達特性モデルの構築
English:

Author

Japanese:	国崎愛子, 長谷川淳一, 岩崎孝之, 野口宗隆, 古橋壮之, 渡邊寛, 中田修平, 小寺哲夫, 波多野睦子.
English:	Aiko Kunisaki, Junichi Hasegawa, Takayuki Iwasaki, 野口宗隆, 古橋壮之, 渡邊寛, 中田修平, Tetsuo Kodera, Mutsuko Hatano.

Language

Japanese

Journal/Book name

Japanese:
English:

Volume, Number, Page

Published date

Mar. 20, 2016

Publisher

Japanese:
English:

Conference name

Japanese:	第63回応用物理学会春季学術講演会
English:

Conference site

Japanese:	東京
English:

Abstract

3月20日発表