室温レーザーアニールによるβ-Ga2O3薄膜の固相エピタキシーに与えるNiOバッファ層の影響

Publication Information

Title

Japanese:	室温レーザーアニールによるβ-Ga₂O₃薄膜の固相エピタキシーに与えるNiOバッファ層の影響
English:	Influence of NiO buffer layer on solid phase epitaxy of β-Ga₂O₃ thin films by laser annealing at room temperature

Author

Japanese:	中村稀星, 内田啓貴, 土嶺信男, 小山浩司, 金子智, 松田晃史, 吉本護.
English:	Kisho Nakamura, Hiroki Uchida, Nobuo Tsuchimine, Koji Koyama, Satoru Kaneko, Akifumi Matsuda, MAMORU YOSHIMOTO.

Language

Japanese

Journal/Book name

Japanese:	第77回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集
English:	The 77th JSAP Autumn Meeting, 2016 Extended Abstracts

Volume, Number, Page

Published date

Sept. 1, 2016

Publisher

Japanese:	公益社団法人応用物理学会
English:	The Japan Society of Applied Physics

Conference name

Japanese:	第77回応用物理学会秋季学術講演会
English:	The 77th JSAP Autumn Meeting, 2016

Conference site

Japanese:	新潟県新潟市
English:	Niigata City

Official URL