ECR-MBE 法で作製したグラフェン単層膜付/SiO<sub>2</sub>/Si(001)基板上GaN薄膜(t~250nm)成長におけるグラフェン単層膜の影響 (II)

Publication Information

Title

Japanese:	ECR-MBE 法で作製したグラフェン単層膜付/SiO₂/Si(001)基板上GaN薄膜(t~250nm)成長におけるグラフェン単層膜の影響 (II)
English:	Influence of mono-layer Graphene on growth process of GaN on mono-layer Graphene/SiOMsub>2-film/Si(001) substrate by ECR-MBE method (II)

Author

Japanese:	淀徳男, 楊楠, 石川智暁, 金子智, 塩尻大士, 松田晃史, 吉本護.
English:	Tokuo Yodo, Nan Yang, Tomoaki Ishikawa, Satoru Kaneko, daishi shiojiri, Akifumi Matsuda, MAMORU YOSHIMOTO.

Language

Japanese

Journal/Book name

Japanese:	第75回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集
English:	The 75th JSAP Autumn Meeting, 2014 Extended Abstracts

Volume, Number, Page

Published date

Sept. 1, 2014

Publisher

Japanese:	公益社団法人応用物理学会
English:	The Japan Society of Applied Physics

Conference name

Japanese:	第75回応用物理学会秋季学術講演会
English:	The 75th JSAP Autumn Meeting, 2014

Conference site

Japanese:	北海道札幌市
English:	Sapporo City

Official URL