[16p-413-11] HfO2/Al2O3/InGaAsゲート構造をもつMOSFETの移動度のH2アニール後における成膜温度およびAl2O3膜厚依存性

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Japanese:	[16p-413-11] HfO2/Al2O3/InGaAsゲート構造をもつMOSFETの移動度のH2アニール後における成膜温度およびAl2O3膜厚依存性
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Author

Japanese:	大澤一斗, 野口真司, 祢津誠晃, 木瀬信和, 宮本恭幸.
English:	Kazuto Ohsawa, Shinji Noguchi, Netsu Seikou, Nobukazu Kise, YASUYUKI MIYAMOTO.

Language

Japanese

Journal/Book name

Japanese:
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Volume, Number, Page

Published date

Mar. 16, 2017

Publisher

Japanese:
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Conference name

Japanese:	第64回応用物理学会春季学術講演会
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Conference site

Japanese:	横浜
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