ボトムゲート - ボトムコンタクトPh-BTBT-10 電解効果トランジスタのバイアス-ストレス評価

Publication Information

Title

Japanese:	ボトムゲート - ボトムコンタクトPh-BTBT-10 電解効果トランジスタのバイアス-ストレス評価
English:	Bias-stress characterization of bottom gate, bottom contact Ph-BTBT-10 Field Effect Transistor

Author

Japanese:	國井正文, 飯野裕明, 半那純一.
English:	Masafumi Kunii, Hiroaki Iino, Jun-ichi Hanna.

Language

Japanese

Journal/Book name

Japanese:	第64回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集
English:	Extended Abstracts (The 64th JSAP Spring Meeting, 2017)

Volume, Number, Page

Vol. 2017春 pp. 16a-302-11

Published date

Mar. 14, 2017

Publisher

Japanese:	応用物理学会
English:	The Japan Society of Applied Physics

Conference name

Japanese:	第64回応用物理学会春季学術講演会
English:	The 64th JSAP Spring Meeting, 2017

Conference site

Japanese:	神奈川県
English: