p-GaInAsPベース層バンドギャップ低減による1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザの電流増幅率の向上

Publication Information

Title

Japanese:	p-GaInAsPベース層バンドギャップ低減による1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザの電流増幅率の向上
English:

Author

Japanese:	吉冨翔一, 只野翔太郎, 山中健太郎, 西山伸彦, 荒井滋久.
English:	Shoichi Yoshitomi, Shotaro Tadano, Kentarou Yamanaka, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI.

Language

Japanese

Journal/Book name

Japanese:
English:

Volume, Number, Page

No. 15p-422-14

Published date

Mar. 15, 2017

Publisher

Japanese:
English:

Conference name

Japanese:	第64回応用物理学会春季学術講演会
English:

Conference site

Japanese:	横浜
English: