GRIN-SCH構造を有する1.3 µm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの静特性

Publication Information

Title

Japanese:	GRIN-SCH構造を有する1.3 µm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの静特性
English:	Static Characteristics of 1.3 µm Wavelength npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser with GRIN-SCH

Author

Japanese:	吉冨翔一, 山中健太郎, 後藤優征, 藤本直, 西山伸彦, 荒井滋久.
English:	Shoichi Yoshitomi, Kentarou Yamanaka, Yusei Goto, Nao Fujimoto, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI.

Language

Japanese

Journal/Book name

Japanese:
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Volume, Number, Page

Published date

Mar. 2018

Publisher

Japanese:
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Conference name

Japanese:	電子情報通信学会 2018年総合大会
English:

Conference site

Japanese:	東京
English: