ゲート付き4 端子法によるMoS2 FET の電気特性評価

Publication Information

Title

Japanese:	ゲート付き4 端子法によるMoS2 FET の電気特性評価
English:	Gated Four-Probe Method for Evaluation of Electrical Characteristics in MoS2 Field-Effect Transistors

Author

Japanese:	大場智昭, 川那子高暢, 小田俊理.
English:	T. Oba, T. Kawanago, S. Oda.

Language

Japanese

Journal/Book name

Japanese:	第79回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集
English:	Extended abstracts of the 79th JSAP autumn meeting

Volume, Number, Page

Published date

Sept. 18, 2018

Publisher

Japanese:	公益社団法人応用物理学会
English:	The Japan Society of Applied Physics

Conference name

Japanese:	2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会
English:	The 79th JSAP Autumn Meeting,2018

Conference site

Japanese:	愛知県名古屋市
English:	Nagoya

File