三次元スケーリングによるIGBTのV[CEsat]低減の実験的検証 (電子デバイス 半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

Publication Information

Title

Japanese:	三次元スケーリングによるIGBTのV[CEsat]低減の実験的検証 (電子デバイス半導体電力変換合同研究会パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)
English:

Author

Japanese:	筒井一生, 角嶋邦之, 星井拓也, 中島昭, 西澤伸一, 若林整, 宗田伊理也, 佐藤克己, 末代知子, 齋藤渉, 更屋拓哉, 伊藤一夫, 福井宗利, 鈴木慎一, 小林正治, 高倉俊彦, 平本俊郎, 小椋厚志, 沼沢陽一郎, 大村一郎, 大橋弘通, 岩井洋.
English:	KAZUO TSUTSUI, Kuniyuki KAKUSHIMA, Takuya Hoshii, 中島昭, 西澤伸一, Hitoshi Wakabayashi, Iriya Muneta, 佐藤克己, 末代知子, 齋藤渉, 更屋拓哉, 伊藤一夫, 福井宗利, 鈴木慎一, 小林正治, 高倉俊彦, 平本俊郎, 小椋厚志, 沼沢陽一郎, 大村一郎, 大橋弘通, HIROSHI IWAI.

Language

Japanese

Journal/Book name

Japanese:	電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan
English:

Volume, Number, Page

Vol. 2017 No. 74 pp. 1-6

Published date

Nov. 21, 2017

Publisher

Japanese:	電気学会
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Conference name

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Conference site

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