トレンチゲート型Si-IGBTの3次元精密TCADシミュレーション

Publication Information

Title

Japanese:	トレンチゲート型Si-IGBTの3次元精密TCADシミュレーション
English:	Three-dimensional accurate TCAD simulation of trench-gate Si-IGBTs

Author

Japanese:	渡辺正裕, 執行直之, 星井拓也, 古川和由, 角嶋邦之, 佐藤克己, 末代知子, 更屋拓哉, 高倉俊彦, 伊藤一夫, 福井宗利, 鈴木慎一, 竹内潔, 宗田伊里也, 若林整, 中島昭, 西澤伸一, 筒井一生, 平本俊郎, 大橋弘通, 岩井洋.
English:	Masahiro Watanabe, Naoyuki Shigyo, Takuya Hoshii, Kazuyoshi Furukawa, Kuniyuki Kakushima, Katsumi Satoh, Tomoko Matsudai, Takuya Saraya, Toshihiko Takakura, Kazuo Itou, Munetoshi Fukui, Shinichi Suzuki, Kiyoshi Takeuchi, Iriya Muneta, Hitoshi Wakabayashi, Akira Nakajima, Shin-ichi Nishizawa, Kazuo Tsutsui, Toshiro Hiramoto, Hiromichi Ohashi, Hiroshi Iwai.

Language

Japanese

Journal/Book name

Japanese:	電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
English:

Volume, Number, Page

Vol. 119 No. 273 pp. 45-48

Published date

Nov. 2019

Publisher

Japanese:	電子情報通信学会
English:

Conference name

Japanese:	電子情報通信学会 SDM(シリコン材料・デバイス)研究会
English:

Conference site

Japanese:	東京
English: