3元系亜鉛窒化物半導体YZn3N3の第一原理計算による物性予測とスパッタリング薄膜の作製

Publication Information

Title

Japanese:	3元系亜鉛窒化物半導体YZn3N3の第一原理計算による物性予測とスパッタリング薄膜の作製
English:

Author

Japanese:	菊地諒介, 中村透, 藏渕孝浩, 金子泰, 熊谷悠, 大場史康.
English:	Ryosuke Kikuchi, 中村透, 藏渕孝浩, 金子泰, Yu Kumagai, Fumiyasu Oba.

Language

Japanese

Journal/Book name

Japanese:
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Volume, Number, Page

Published date

Mar. 19, 2021

Publisher

Japanese:
English:

Conference name

Japanese:	2021年第68回応用物理学会春季学術講演会
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Conference site

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