SiC-MOSFETデバイスモデルによる高周波漏洩電流の解析

Publication Information

Title

Japanese:	SiC-MOSFETデバイスモデルによる高周波漏洩電流の解析
English:

Author

Japanese:	松尾翼, 昆野賢太郎, 葛本昌樹, 萩原誠, 赤木泰文, 椋木康滋, 堀口剛司, 中武浩.
English:	Tsubasa Matsuo, Kentarou Konno, Masaki Kuzumoto, Makoto Hagiwara, Hirofumi Akagi, Yasushige Mukunoki, Takeshi Horiguchi, 中武浩.

Language

Japanese

Journal/Book name

Japanese:
English:

Volume, Number, Page

4-112 pp. 181-182

Published date

Mar. 2018

Publisher

Japanese:
English:

Conference name

Japanese:	平成30年電気学会全国大会
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Conference site

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