PLD法により成長したβ-Ga2O3ホモエピタキシャル薄膜の電気特性

Publication Information

Title

Japanese:	PLD法により成長したβ-Ga2O3ホモエピタキシャル薄膜の電気特性
English:	Electrical properties of β-Ga2O3 homoepitaxial films grown by PLD

Author

Japanese:	是石和樹, 相馬拓人, 吉松公平, 大友明.
English:	Kazuki Koreishi, Takuto Soma, Kohei Yoshimatsu, Akira Ohtomo.

Language

Japanese

Journal/Book name

Japanese:
English:

Volume, Number, Page

Published date

Sept. 8, 2026

Publisher

Japanese:
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Conference name

Japanese:	第86回応用物理学会秋季学術講演会
English:

Conference site

Japanese:	名古屋市
English: