Improved off-current and subthreshold slope in aggressively scaled poly-Si TFTs with a single grain boundary in the channel

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Improved off-current and subthreshold slope in aggressively scaled poly-Si TFTs with a single grain boundary in the channel

著者

和文:	P. Walker. H. Mizuta, S. Uno, Y. FUruta, D. Hasko.
英文:	P. Walker. H. Mizuta, S. Uno, Y. FUruta, D. Hasko.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	IEEE Trans. Electron Device

巻, 号, ページ

Vol. ED51 pp. 212

出版年月

2004年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
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