A Study on Selective Etching of SiGe Layers and Electrical Characteristics of MOS Diodes Formed after Selective Etching in SBSI Process

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	A Study on Selective Etching of SiGe Layers and Electrical Characteristics of MOS Diodes Formed after Selective Etching in SBSI Process

著者

和文:	H. Ohri, T. Yamazaki, S. Ohmi, T. Sakai.
英文:	H. Ohri, T. Yamazaki, S. Ohmi, T. Sakai.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Third International Workshop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors: Control of properties and applications to ultrahigh speed and opto-electronic devices

巻, 号, ページ

pp. 79-80

出版年月

2004年10月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文:	Sendai, Japan