Electrical properties of Pt/BLT/HfSiON/Si structure for 1T-type ferroelectric memory

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Electrical properties of Pt/BLT/HfSiON/Si structure for 1T-type ferroelectric memory

著者

和文:	H. Hoko, C. Aoki, Y. Tabuchi, T. Tamura, K. Maruyama, Y. Arimoto, H. Ishiwara.
英文:	H. Hoko, C. Aoki, Y. Tabuchi, T. Tamura, K. Maruyama, Y. Arimoto, H. Ishiwara.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	17th Intern. Sympo. on Integrated Ferroelectrics

巻, 号, ページ

No. 3-20-P

出版年月

2005年4月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文:	Shanghai