Photoluminescence Characterization of (Ga)InAs Quantum Dots with GaInAsSb Cover Layer Grown by MBE

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Photoluminescence Characterization of (Ga)InAs Quantum Dots with GaInAsSb Cover Layer Grown by MBE

著者

和文:	Tetsuya Matsuura, Tomoyuki Miyamoto, Masataka Ohta, Fumio Koyama.
英文:	Tetsuya Matsuura, Tomoyuki Miyamoto, Masataka Ohta, Fumio Koyama.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Fraunhofer IAF

巻, 号, ページ

pp. MoP29

出版年月

2005年9月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	The 32nd International Symposium on Compound Semiconductors

開催地

和文:
英文:	Rust, Germany

DOI