Topological Characteristics of MBE Grown Sb-Introduced Ga(In)As Covered InAs Quantum Dots on GaAs

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Topological Characteristics of MBE Grown Sb-Introduced Ga(In)As Covered InAs Quantum Dots on GaAs

著者

和文:	Tetsuya Matsuura, Tomoyuki Miyamoto, Masataka Ohta, Fumio Koyama.
英文:	Tetsuya Matsuura, Tomoyuki Miyamoto, Masataka Ohta, Fumio Koyama.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	IEEE

巻, 号, ページ

pp. TuB2-1

出版年月

2005年5月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	The 17th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials

開催地

和文:
英文:	Glasgow, UK