Topological Characteristics of MBE Grown Sb-Introduced Ga(In)As Covered InAs Quantum Dots on GaAs

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Topological Characteristics of MBE Grown Sb-Introduced Ga(In)As Covered InAs Quantum Dots on GaAs

著者

和文:	松浦哲也, 宮本智之, 太田征孝, 小山二三夫.
英文:	TETSUYA MATSUURA, Tomoyuki Miyamoto, MASATAKA OHTA, FUMIO KOYAMA.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2005年5月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	International Conference on Indium Phosphide and Related Materials

開催地

和文:
英文:	UK