InAs Quantum Dot formed on GaNAs Buffer Layer by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	InAs Quantum Dot formed on GaNAs Buffer Layer by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

著者

和文:	鈴木亮一郎, 宮本智之, 松浦哲也, 小山二三夫.
英文:	Ryoichiro Suzuki, Tomoyuki Miyamoto, TETSUYA MATSUURA, FUMIO KOYAMA.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2005年9月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	32th International Symposium on Compound Semiconductors

開催地

和文:
英文:	Germany