(Ga)InAs/GaInAsSb量子ドットの成長条件・構造依存性

論文・著書情報

タイトル

和文:	(Ga)InAs/GaInAsSb量子ドットの成長条件・構造依存性
英文:	Growth Characterization of MBE Grown (Ga)InAs Quantum Dots with GaInAsSb Cover Layer

著者

和文:	松浦哲也, 宮本智之, 太田征孝, 小山二三夫.
英文:	TETSUYA MATSUURA, Tomoyuki Miyamoto, MASATAKA OHTA, FUMIO KOYAMA.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2005年9月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	第66回応用物理学会学術講演会
英文:	The 66th Autumn Meeting of The Japan Society of Applied Physics

開催地

和文:	徳島
英文:	Tokushima