Effects of low temperature annealing on the ultrathin La<sub>2</sub>O<sub>3</sub> gate dielectric; comparison of post deposition annealing and post metallization annealing

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Effects of low temperature annealing on the ultrathin La₂O₃ gate dielectric; comparison of post deposition annealing and post metallization annealing

著者

和文:	J. A. Ng, Y. Kuroki, N. Sugii, K. Kakushima, S.-I. Ohmi, K. Tsutsui, T. Hattori, H. Iwai, H. Wong.
英文:	J. A. Ng, Y. Kuroki, N. Sugii, K. Kakushima, S.-I. Ohmi, K. Tsutsui, T. Hattori, H. Iwai, H. Wong.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Microelectronic Engineering

巻, 号, ページ

Vol. 80 pp. 206-209

出版年月

2005年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

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DOI