Bandgap tuning of a-Si:H from 1.55 eV to 2.10 eV by promoting intentionally structural relaxation

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Bandgap tuning of a-Si:H from 1.55 eV to 2.10 eV by promoting intentionally structural relaxation

著者

和文:	K. Fukutani, M. Kanbe, W. Futako, T. Kamiya, C.M. Fortmann, I. Shimizu.
英文:	K. Fukutani, M. Kanbe, W. Futako, T. Kamiya, C.M. Fortmann, I. Shimizu.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	J. Non-crystalline Solids

巻, 号, ページ

Vol. 227-230 pp. 632

出版年月

1998年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
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開催地

和文:
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