Sidewall Recombination Velocity in GaInAsP/InP Quantum-Well Lasers with Wire-like Active Region Fabricated by Wet-Chemical Etching and Organo-Metallic Vapor-Phase-Epitaxial Regrowth

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Sidewall Recombination Velocity in GaInAsP/InP Quantum-Well Lasers with Wire-like Active Region Fabricated by Wet-Chemical Etching and Organo-Metallic Vapor-Phase-Epitaxial Regrowth

著者

和文:	Munehisa Tamura, Takashi Kojima, Toshikazu Ando, Nobuhiro Nunoya, Shigeo Tamura, Shigehisa Arai.
英文:	Munehisa Tamura, Takashi Kojima, Toshikazu Ando, Nobuhiro Nunoya, Shigeo Tamura, Shigehisa Arai.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Jpn. J. Appl. Phys.

巻, 号, ページ

Vol. 37 No. 12A pp. 6569-6574

出版年月

1998年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
英文: