First Fabrication of GaInAs/InP Buried Metal Heterojunction Bipolar Transistor and Reduction of Base-Collector Capacitance

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	First Fabrication of GaInAs/InP Buried Metal Heterojunction Bipolar Transistor and Reduction of Base-Collector Capacitance

著者

和文:	T. Arai, Y. Harada, S. Yamagami, Y. Miyamoto, K. Furuya.
英文:	T. Arai, Y. Harada, S. Yamagami, Y. Miyamoto, K. Furuya.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Jpn. J. Appl. Phys.

巻, 号, ページ

Vol. 39 No. 6A pp. L503-L505

出版年月

2000年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
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開催地

和文:
英文: