A 25-nm-long channel metal-gate p-type Schottky source/drain metal-oxide-semiconductor field effect transistor on SIMOX substrate

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	A 25-nm-long channel metal-gate p-type Schottky source/drain metal-oxide-semiconductor field effect transistor on SIMOX substrate

著者

和文:	A.Itoh, M.Saitoh, M.Asada.
英文:	A.Itoh, M.Saitoh, M.Asada.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Japan.J.Appl.Phys.

巻, 号, ページ

Vol. 39 No. 8 pp. 4757-4758

出版年月

2000年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
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