1.5μm wavelength strain-compensated GaInAsP/InP wirelike laser by CH<sub>4</sub>/H<sub>2</sub> reactive ion etching

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	1.5μm wavelength strain-compensated GaInAsP/InP wirelike laser by CH₄/H₂ reactive ion etching

著者

和文:	H. Yasumoto, N. Nunoya, H. Midorikawa, S. Tamura, S. Arai.
英文:	H. Yasumoto, N. Nunoya, H. Midorikawa, S. Tamura, S. Arai.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	The 12th Int. Conf. on Indium Phosphide and Related Materials IPRM’2000), Williamsburg

巻, 号, ページ

No. WA3.2 pp. 270-273

出版年月

2000年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
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開催地

和文:
英文: