Electrical properties of metal-ferroelectric-insulator- semiconductor(MFIS)- and metal-ferroelectric-metal-insulator-semiconductor(MFMIS)-FETs using ferroelectric SrBi2Ta2O9film and SrTa2O6/SiON buffer layer

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Electrical properties of metal-ferroelectric-insulator- semiconductor(MFIS)- and metal-ferroelectric-metal-insulator-semiconductor(MFMIS)-FETs using ferroelectric SrBi₂Ta₂O₉film and SrTa₂O₆/SiON buffer layer

著者

和文:	E. Tokumitsu, G. Fujii, H. Ishiwara.
英文:	E. Tokumitsu, G. Fujii, H. Ishiwara.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Jpn. J. Appl. Phys.

巻, 号, ページ

Vol. 39 No. 4B pp. 2125-2130

出版年月

2000年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
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