Sub-micron GaInAs/InP Hot Electron Transistors by EBL process and size dependence of current gain

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Sub-micron GaInAs/InP Hot Electron Transistors by EBL process and size dependence of current gain

著者

和文:	Y.Miyamoto, J.Yoshinaga, H.Toda, T.Arai, H.Hongo, T.Hattori, A.Kokubo, K.Furuya.
英文:	Y.Miyamoto, J.Yoshinaga, H.Toda, T.Arai, H.Hongo, T.Hattori, A.Kokubo, K.Furuya.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Solid State Electronics

巻, 号, ページ

Vol. 42 No. 7-8 pp. 1467

出版年月

1998年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
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