Reduction of Base-Collector Capacitance in Submicron InP/GaInAs Heterojunction Bipolar Transistors with Buried Tungsten Wires

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Reduction of Base-Collector Capacitance in Submicron InP/GaInAs Heterojunction Bipolar Transistors with Buried Tungsten Wires

著者

和文:	T. Arai, S. Yamagami, 宮本恭幸, 古屋一仁.
英文:	T. Arai, S. Yamagami, Y. Miyamoto, KAZUHITO FURUYA.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Jpn. J. Appl. Phys.

巻, 号, ページ

Vol. 40 No. 7B pp. L735

出版年月

2001年7月

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

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DOI