Enhanced short-channel effects of sub-50nm gate length MOSFETs with high-k gate insulator films

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Enhanced short-channel effects of sub-50nm gate length MOSFETs with high-k gate insulator films

著者

和文:	R.Fujimura, M.Takeda, K.Sato, S.Ohmi, H.Ishiwara, H.Iwai.
英文:	R.Fujimura, M.Takeda, K.Sato, S.Ohmi, H.Ishiwara, H.Iwai.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	The 199th Meeting of The Electrochemical Society ULSI Process Integration II

巻, 号, ページ

Vol. 2001-2 pp. 313-323

出版年月

2001年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文: