Low Leakage La┣D22┫D2O┣D23┫D2 Gate Insulator Film with EOTs of 0.8-1.2 nm

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Low Leakage La┣D22┫D2O┣D23┫D2 Gate Insulator Film with EOTs of 0.8-1.2 nm

著者

和文:	S.Ohmi, C. Kobayashi, E. Tokumitsu, H. Ishiwara, H.Iwai.
英文:	S.Ohmi, C. Kobayashi, E. Tokumitsu, H. Ishiwara, H.Iwai.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	2001 International Conference on Solid State Devices and Conferences

巻, 号, ページ

pp. 496-497

出版年月

2001年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
英文: